Forskere har skabt en ny type hukommelse, der vil gøre kunstig intelligens betydeligt hurtigere.

Et forskerhold ledet af Cambridge University har udviklet et nyt design til computerhukommelse, som vil forbedre ydeevnen og reducere strømforbruget i internet- og kommunikationsteknologi betydeligt.

Hvad man ved

Ifølge universitetet vil kunstig intelligens, internettet og andre datadrevne teknologier forbruge mere end 30% af verdens elektricitet i løbet af det næste årti. At flytte information mellem lagrings- og behandlingsenheder kræver meget energi og tid, siger undersøgelsen.

Forskerne eksperimenterede med en ny type teknologi, kendt som resistive switching memory. I modsætning til eksisterende enheder, som koder data i to tilstande (et eller nul), giver forskernes udvikling mulighed for en kontinuerlig række af tilstande.

Dette er opnået ved at tilføre en elektrisk strøm til visse materialer, hvilket får den elektriske modstand til at stige eller falde. Forskellige ændringer i den elektriske modstand skaber forskellige mulige tilstande for datalagring.

"Et typisk USB-drev baseret på et kontinuerligt område ville kunne lagre for eksempel ti til hundrede gange mere information," siger Markus Hellenbrand, der er hovedforfatter til undersøgelsen.

Teamet har udviklet en prototype på en hafniumoxid-baseret enhed. Indtil nu har det vist sig at være svært at bruge i resistiv switching-hukommelse på grund af materialets manglende struktur på atomart niveau. Forskerne fandt dog en løsning: De tilføjede barium til blandingen.

Det skabte meget strukturerede barium-"broer" mellem tykke hafniumoxid-film. På det sted, hvor disse "broer" krydser enhedernes kontakter, skabes der en energibarriere, der tillader elektroner at krydse.

Energibarrieren kan hæves eller sænkes. Det ændrer hafniumoxidkomposittens modstand og gør det muligt for materialet at eksistere i flere tilstande.

Ifølge forskerne lignede det endelige resultat den måde, synapser i hjernen fungerer på, som kan lagre og behandle information på samme sted. Forskerne mener, at dette kan føre til computerhukommelsesenheder med meget større tæthed og ydeevne, men med lavere strømforbrug.

Cambridge Enterprise, universitetets kommercielle gren, har søgt om patent. Forskerne samarbejder nu med industrien om at udføre mere omfattende forskning. De hævder, at det ikke vil være svært at integrere hafniumoxid i eksisterende fremstillingsprocesser, da materialet allerede bruges til fremstilling af halvledere.

Kilde: The Next Web.